BC817-40

Малопотужний високочастотний NPN-транзистор BC817-40 виготовляється компанією Nexperia USA Inc. за технологією Si-Epi-Planar.

Тип виконання корпусу - під поверхневий монтаж (SOT-23/TO-236). Матеріал корпусу відповідає класифікації UL 94V-0, весь виріб за змістом свинцю відповідає директиві RoHS.

Основні/максимально допустимі режими роботи транзистора BC817-40:

• Посилення по струму (при напрузі емітер-колектор 1 В і коллекторному струмі 100 мА) - не гірше 250, максимальне - 630;
• Напруга насичення емітер-колектор (при коллекторному струмі 500 мА і базовому струмі 50 мА) - не більше 0.7 В;
• Напруга насичення емітер-база (при коллекторному струмі 500 мА і базовому струмі 50 мА) - не більше 1.3 В;
• Максимальна заявлене напруга емітер-колектор (емітер закорочен на базу) - не вище 50 В;
• Максимальна заявлене напруга емітер-колектор (з відключеною базою) - не вище 45 В;
• Допустимий максимальний постійний струм колектора - 800 мА;
• Граничний струм колектора - 1000 мА в піку;
• Граничний струм бази - 200 мА в піку;
• Заявлена ​​розсіюєма теплова потужність виробу - 0.31 Вт;
• Типова робоча гранична частота - 100 МГц;
• Максимальний діапазон температур експлуатації/зберігання - від -55 °C до +150 °C.