BC817-40

Маломощный высокочастотный NPN-транзистор BC817-40 изготавливается компанией Nexperia USA Inc. по технологии Si-Epi-Planar.

Тип исполнения корпуса - под поверхностный монтаж (SOT-23/TO-236). Материал корпуса соответствует классификации UL 94V-0, всё изделие по содержанию свинца соответствует директиве RoHS.

Основные/максимально допустимые режимы работы транзистора BC817-40:

• Усиление по току (при напряжении эмиттер-коллектор 1 В и коллекторном токе 100 мА) - не хуже 250, максимальное - 630;
• Напряжение насыщения эмиттер-коллектор (при коллекторном токе 500 мА и базовом токе 50 мА) - не более 0.7 В;
• Напряжение насыщения эмиттер-база (при коллекторном токе 500 мА и базовом токе 50 мА) - не более 1.3 В;
• Максимальное заявленное напряжение эмиттер-коллектор (эмиттер закорочен на базу) - не выше 50 В;
• Максимальное заявленное напряжение эмиттер-коллектор (с отключенной базой) - не выше 45 В;
• Допустимый максимальный постоянный ток коллектора - 800 мА;
• Предельный ток коллектора - 1000 мА в пике;
• Предельный ток базы - 200 мА в пике;
• Заявленная рассеиваемая тепловая мощность изделия - 0.31 Вт;
• Типичная рабочая граничная частота - 100 МГц;
• Максимальный диапазон температур эксплуатации/хранения - от -55 °C до +150 °C.