1
1
9
1
1
1
10
4
1
2
1
5
1
3
1
1
6
1
3
1
1
1
6
1
1
1
3
1
1
8
2
1
1
2
1
2
2
1
1
1
6
1
8
5
2
1
1
1
2
4
1
1
1

в корзину

Корзина покупок
 

Биполярные транзисторы

Отображение: список / сетка
Показать:
Сортировка:
BC807-40
Кремниевый транзистор BC807-40 производства NXP Semiconductors относится к маломощным (Pmax = 250 мВ..
0.99 грн.
Наличие: 6186
BC817-40
Маломощный высокочастотный NPN-транзистор BC817-40 изготавливается компанией Nexperia USA Inc. по те..
0.73 грн.
Наличие: 3195
BC846B
Биполярный транзистор NPN, 65 В, 0.1 А, в корпусе SOT-23 ..
0.60 грн.
Наличие: 2990
BC847C
Биполярный транзистор NPN, 45 В, 0.1 А, в корпусе SOT-23 ..
0.60 грн.
Наличие: 1661
BC856B
Биполярный транзистор PNP, 65 В, 0.1 А, в корпусе SOT-23 ..
0.60 грн.
Наличие: 1000
BC546B
Биполярный транзистор NPN, 65 В, 0.1 А, в корпусе TO-92 ..
0.60 грн.
Наличие: 500
BC857C
Биполярный транзистор PNP, 45 В, 0.1 А, в корпусе SOT-23 ..
0.60 грн.
Наличие: 100
2Т301Ж
Транзисторы 2Т301Ж кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.  Предназначены для прим..
11.30 грн.
Наличие: 100
BCP53
Биполярный высокочастотный PNP транзистор 80В; 1А; SOT-223 ..
3.40 грн.
Наличие: 90
BC817-25W
Биполярный транзистор NPN, 45 В, 0.5 А, в корпусе SOT323 ..
0.98 грн.
Наличие: 38
PMBT2222A
Биполярный маломощный NPN транзистор PMBT2222A изготавливается на производственных мощностях Nexperi..
0.51 грн.
Наличие: 27
2N3904
Биполярный NPN-транзистор 2N3904 классифицируется как транзистор общего назначения в корпусе TO−226 ..
1.02 грн.
Наличие: 25
ST13005
Высоковольтный биполярный силовой NPN транзистор ST13005 производства STMicroelectronics предназначе..
9.03 грн.
Наличие: 5
DDTC124ECA
NPN биполярный транзистор с предварительно заданным током смещения (Pre-Biased) с встроенн..
6.21 грн.
Наличие: 1

Биполярный транзистор - это трёхвыводное устройства, служащее в электронных схемах для генерации и усиления сигнала, либо в качестве ключа. Различают два типа: npn- и pnp-транзисторы, в зависимости от чередования слоёв допирования полупроводникового материала. Средний электрод принято называть базой, крайние - эмиттером и коллектором. Несмотря на кажущуюся симметричность относительно базы, реальный транзистор таковым не является, что легко установить при проверке тестером: сопротивление перехода база-коллектор всегда несколько меньше, чем база-эмиттер (это один из быстрых способов определения типа структуры и цоколёвки неизвестного исправного транзистора).

Для детального расчёта схем на биполярных транзисторах обычно используется много параметров, но с практической точки зрения (для возможной замены) обычно достаточно знать всего несколько: тип, максимальное рабочее напряжение перехода эмиттер-коллектор, номинальное усиление по току (коэффициент передачи тока), граничную частоту единичного усиления и максимальную рассеиваемую мощность. Полный же список всех необходимых для проектирования параметров (включая графики различных зависимостей) всегда приводится в оригинальной документации от производителя, которую и рекомендуется пристально изучать до того, как браться за разработку схемы.

Ливен | Designed for Liv Energy