DMT10H015LSS-13

DMT10H015LSS-13

21.06 грн.

10 або більше: 20.64 грн.
100 або більше: 20.00 грн.
1000 або більше: 18.95 грн.
Виробник: Diodes Incorporated
Артикул: DMT10H015LSS-13
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.3A 100V N-CH SO8
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.3 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 16 мОм
Потужність 1.2 Вт
Структура N-канал
Технологія ENHANCEMENT
Час відновлення 37.9 нс
Напруга 100 В
datasheet