DMT10H015LSS-13

21.06 грн.

10 или более 20.64 грн.
100 или более 20.00 грн.
1000 или более 18.95 грн.
Производитель: Diodes Incorporated
Артикул: DMT10H015LSS-13
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.8.3A 100V N-CH SO8
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 8.3 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 37.9 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 1.2 Вт
Сопротивление откр. канала 16 мОм
Структура N-канал
Технология ENHANCEMENT
Напряжение 100 В