FDS4435BZ

FDS4435BZ

47.26 грн.

10 або більше: 71.98 грн.
100 або більше: 69.77 грн.
1000 або більше: 66.10 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FDS4435BZ
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.8A 30V P-CH SOIC-8
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 20 мОм
Потужність 2.5 Вт
Структура P-канал
Технологія POWER TRENCH
Час відновлення 29 нс
Напруга 30 В
datasheet