FDS4435BZ

35.30 грн.

10 або більше: 65.91 грн.
100 або більше: 63.90 грн.
1000 або більше: 60.53 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FDS4435BZ
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.8.8A 30V P-CH SOIC-8
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 8.8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 20 мОм
Потужність 2.5 Вт
Структура P-канал
Технологія POWER TRENCH
Час відновлення 29 нс
Напруга 30 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969