FDS4435BZ

FDS4435BZ

69.55 грн.

10 или более 65.91 грн.
100 или более 63.90 грн.
1000 или более 60.53 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FDS4435BZ
Доступно: 1560

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.8.8A 30V P-CH SOIC-8
Корпус
Корпус SOIC-8
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 8.8 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 29 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.5 Вт
Сопротивление откр. канала 20 мОм
Структура P-канал
Технология POWER TRENCH
Напряжение 30 В
datasheet