FQA11N90C
FQA11N90C
107.27 грн.
10 або більше: 105.13 грн.
100 або більше: 101.91 грн.
1000 або більше: 96.55 грн.
100 або більше: 101.91 грн.
1000 або більше: 96.55 грн.
MOSFET DIS.11A 900V N-CH TO3P QFET THT
Корпус | |
Корпус | TO-3P |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C~+150°C |
Струм | |
Струм | 11 А |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (TUBE) |
Основні | |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 1.1 Ом |
Потужність | 300 Вт |
Структура | N-канал |
Технологія | QFET |
Час відновлення | 1 мкс |
Напруга | 900 В |