FQA11N90C
FQA11N90C
107.27 грн.
10 или более 105.13 грн.
100 или более 101.91 грн.
1000 или более 96.55 грн.
100 или более 101.91 грн.
1000 или более 96.55 грн.
MOSFET DIS.11A 900V N-CH TO3P QFET THT
Корпус | |
Корпус | TO-3P |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C~+150°C |
Ток | |
Ток | 11 А |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (TUBE) |
Основные | |
Время восстановления | 1 мкс |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 300 Вт |
Сопротивление откр. канала | 1.1 Ом |
Структура | N-канал |
Технология | QFET |
Напряжение | 900 В |