FQA11N90C
FQA11N90C
113.52 грн.
10 или более 111.24 грн.
100 или более 107.84 грн.
1000 или более 102.16 грн.
100 или более 107.84 грн.
1000 или более 102.16 грн.
MOSFET DIS.11A 900V N-CH TO3P QFET THT
| Корпус | |
| Корпус | TO-3P |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C~+150°C |
| Ток | |
| Ток | 11 А |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (TUBE) |
| Основные | |
| Время восстановления | 1 мкс |
| Конфигурация | одиночний |
| Мощность | 300 Вт |
| Сопротивление откр. канала | 1.1 Ом |
| Структура | N-канал |
| Технология | QFET |
| Напряжение | 900 В |
РУС
УКР







