FQD13N06LTM

FQD13N06LTM

46.28 грн.

10 або більше: 24.47 грн.
100 або більше: 23.72 грн.
1000 або більше: 22.47 грн.
Виробник: Infineon
Артикул: FQD13N06LTM
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.11A 60V N-CH TO252(DPAK) QFET SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 11 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 92 мОм
Потужність 28 Вт
Структура N-канал
Технологія QFET
Час відновлення 45 нс
Напруга 60 В
datasheet