FQD13N06LTM

81.10 грн.

10 или более 40.22 грн.
100 или более 31.27 грн.
1000 или более 24.10 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: FQD13N06LTM
Доступно: 2017

Доступные опции

MOSFET DIS.11A 60V N-CH TO252(DPAK) QFET SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 11 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 45 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 28 Вт
Сопротивление откр. канала 92 мОм
Структура N-канал
Технология QFET
Напряжение 60 В