FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

48.54 грн.

10 або більше: 29.84 грн.
100 або більше: 28.93 грн.
1000 або більше: 27.41 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FQD13N10LTM
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.10A 100V N-CH TO252(DPAK) QFET SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 10 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 158 мОм
Потужність 2.5 Вт
Структура N-канал
Технологія QFET
Час відновлення 75 нс
Напруга 100 В
datasheet