FQD13N10LTM

FQD13N10LTM

85.83 грн.

10 или более 54.86 грн.
100 или более 37.11 грн.
1000 или более 26.76 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FQD13N10LTM
Доступно: 889

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.10A 100V N-CH TO252(DPAK) QFET SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 10 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 75 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.5 Вт
Сопротивление откр. канала 158 мОм
Структура N-канал
Технология QFET
Напряжение 100 В
datasheet