FQD2N100TM

FQD2N100TM

50.02 грн.

10 або більше: 49.02 грн.
100 або більше: 47.52 грн.
1000 або більше: 45.02 грн.
Виробник: ON Semiconductor
Артикул: FQD2N100TM
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.1.6A 1000V N-CH TO-252-3(DPAK) SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 1.6 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9 Ом
Потужність 2.5 Вт
Структура N-канал
Технологія QFET
Час відновлення 520 нс
Напруга 1000 В
datasheet