FQD2N100TM

50.02 грн.

10 или более 49.02 грн.
100 или более 47.52 грн.
1000 или более 45.02 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FQD2N100TM
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.1.6A 1000V N-CH TO-252-3(DPAK) SMT
Корпус
Корпус TO-252 (DPAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 1.6 А
Упаковка
Упаковка 2500 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 520 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 2.5 Вт
Сопротивление откр. канала 9 Ом
Структура N-канал
Технология QFET
Напряжение 1000 В