IPB038N12N3G

IPB038N12N3G

570.96 грн.

10 або більше: 559.55 грн.
100 або більше: 542.42 грн.
1000 або більше: 513.87 грн.
Виробник: Infineon
Артикул: IPB038N12N3G
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.120A 120V N-CH TO263(D2PAK) SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 120 А
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 3.2 мОм
Потужність 300 Вт
Структура N-канал
Технологія OPTIMOS
Час відновлення 123 нс
Напруга 120 В
datasheet