IPB038N12N3G

IPB038N12N3G

604.19 грн.

10 или более 592.11 грн.
100 или более 573.99 грн.
1000 или более 543.78 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: IPB038N12N3G
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.120A 120V N-CH TO263(D2PAK) SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 120 А
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 123 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 3.2 мОм
Структура N-канал
Технология OPTIMOS
Напряжение 120 В
datasheet