IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

417.77 грн.

10 або більше: 605.77 грн.
100 або більше: 587.23 грн.
1000 або більше: 556.32 грн.
Виробник: Infineon
Артикул: IPB107N20NAATMA1
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.88A 200V N-CH TO263-3
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 88 А
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9.9 мОм
Потужність 300 Вт
Структура N-канал
Технологія OPTIMOS
Час відновлення 142 нс
Напруга 200 В
datasheet