IPB107N20NAATMA1

IPB107N20NAATMA1

489.44 грн.

10 или более 451.90 грн.
100 или более 443.81 грн.
1000 или более 443.81 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: IPB107N20NAATMA1
Доступно: 655

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.88A 200V N-CH TO263-3
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 88 А
Упаковка
Упаковка 1000 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 142 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 9.9 мОм
Структура N-канал
Технология OPTIMOS
Напряжение 200 В
datasheet