IRF3205SPBF

29.23 грн.

10 або більше: 28.65 грн.
100 або більше: 27.77 грн.
1000 або більше: 26.31 грн.
Виробник: International Rectifier
Артикул: IRF3205SPBF
Доступно: Немає пропозицій

Розширена HEXFET серія силових МОП транзисторів від International Rectifier в якій використовуються передові методи обробки для досягнення вкрай низького значення опору в області кремнію. Ця перевага, в поєднанні з великою швидкістю перемикання і міцною конструкцією IRF3205S, дозволяє проектувальникам використовувати надзвичайно ефективний і надійний польовий транзистор, для застосування в широкому спектрі виробів.

D2PAK корпус силового транзистора здатний вмістити матриці розміром до HEX-4. Він забезпечує найвищу допустиму потужність і мінімально можливий опір стік-витік в порівнянні з будь-якою існуючою технологією виробництва корпусів для поверхневого монтажу. D2PAK підходить для виробів з високим протікаючим струмом через його низький опір каналу у відкритому стані.

Корпус
Корпус TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Монтаж
Монтаж Поверхневый
Робоча температура
Робоча температура -55°C ... 175°C
Струм
Струм 110 А
Упаковка
Упаковка 50 шт (туба)
Основні
Заряд затвора 146 нКл
Кількість каналів 1
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 8,0 мОм
Полярність польовий
Потужність 200 Вт
Серія HEXFET®
Структура N-канал
Тип MOSFET N-Channel
Напруга 55 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969