Бесплатная доставка! |
---|
![]() |
Для заказов общей суммой от 1000 грн |
100 % гарантия возврата! |
![]() |
Если товар не подошел |
3 способа оплаты |
![]() |
Расширенная HEXFET серия силовых МОП транзисторов от International Rectifier в которой используются передовые методы обработки для достижения крайне низкого значения сопротивления в области кремния. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и прочной конструкцией IRF3205S, позволяет проектировщикам использовать чрезвычайно эффективный и надежный полевой транзистор, для применения в широком спектре изделий.
D2PAK корпус силового транзистора способен вместить матрицы размером до HEX-4. Он обеспечивает самую высокую допустимую мощность и минимально возможное сопротивление сток-исток в любой существующей технологии производства корпусов для поверхностного монтажа. D2PAK подходит для приложений с высокими протекающими токами из-за его низкого сопротивление канала в открытом состоянии.
Основные | |
Заряд затвора | 146 нКл |
Количество каналов | 1 |
Конфигурация | одиночний |
Корпус | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Монтаж | Поверхносный |
Мощность | 200 Вт |
Полярность | полевой |
Рабочая температура | -55°C ... 175°C |
Серия | HEXFET® |
Сопротивление откр. канала | 8,0 мОм |
Структура | N-канал |
Тип | MOSFET N-Channel |
Ток | 110 А |
Упаковка | 50 шт (туба) |
Напряжение | 55 В |