IRF3205SPBF
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IRF3205SPBF
29.23 грн.
10 або більше: 28.65 грн.
100 або більше: 27.77 грн.
1000 або більше: 26.31 грн.
100 або більше: 27.77 грн.
1000 або більше: 26.31 грн.
Розширена HEXFET серія силових МОП транзисторів від International Rectifier в якій використовуються передові методи обробки для досягнення вкрай низького значення опору в області кремнію. Ця перевага, в поєднанні з великою швидкістю перемикання і міцною конструкцією IRF3205S, дозволяє проектувальникам використовувати надзвичайно ефективний і надійний польовий транзистор, для застосування в широкому спектрі виробів.
D2PAK корпус силового транзистора здатний вмістити матриці розміром до HEX-4. Він забезпечує найвищу допустиму потужність і мінімально можливий опір стік-витік в порівнянні з будь-якою існуючою технологією виробництва корпусів для поверхневого монтажу. D2PAK підходить для виробів з високим протікаючим струмом через його низький опір каналу у відкритому стані.
Корпус | |
Корпус | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Монтаж | |
Монтаж | Поверхневый |
Робоча температура | |
Робоча температура | -55°C ... 175°C |
Струм | |
Струм | 110 А |
Упаковка | |
Упаковка | 50 шт (туба) |
Основні | |
Заряд затвора | 146 нКл |
Кількість каналів | 1 |
Конфігурація | одиночний |
Опір відкр. каналу | 8,0 мОм |
Полярність | польовий |
Потужність | 200 Вт |
Серія | HEXFET® |
Структура | N-канал |
Тип | MOSFET N-Channel |
Напруга | 55 В |