IRF3205SPBF

31.67 грн.

10 или более 31.03 грн.
100 или более 30.08 грн.
1000 или более 28.50 грн.
Производитель: International Rectifier
Артикул: IRF3205SPBF
Доступно: Нет предложений

Расширенная HEXFET серия силовых МОП транзисторов от International Rectifier в которой используются передовые методы обработки для достижения крайне низкого значения сопротивления в области кремния. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и прочной конструкцией IRF3205S, позволяет проектировщикам использовать чрезвычайно эффективный и надежный полевой транзистор, для применения в широком спектре изделий.

D2PAK корпус силового транзистора способен вместить матрицы размером до HEX-4. Он обеспечивает самую высокую допустимую мощность и минимально возможное сопротивление сток-исток в любой существующей технологии производства корпусов для поверхностного монтажа. D2PAK подходит для приложений с высокими протекающими токами из-за его низкого сопротивление канала в открытом состоянии.

Силовой транзистор irf3205
Корпус
Корпус TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Монтаж
Монтаж Поверхносный
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ... 175°C
Ток
Ток 110 А
Упаковка
Упаковка 50 шт (туба)
Основные
Заряд затвора 146 нКл
Количество каналов 1
Конфигурация одиночний
Мощность 200 Вт
Полярность полевой
Серия HEXFET®
Сопротивление откр. канала 8,0 мОм
Структура N-канал
Тип MOSFET N-Channel
Напряжение 55 В
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969