IRF3205SPBF
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IRF3205SPBF
31.67 грн.
10 или более 31.03 грн.
100 или более 30.08 грн.
1000 или более 28.50 грн.
100 или более 30.08 грн.
1000 или более 28.50 грн.
Расширенная HEXFET серия силовых МОП транзисторов от International Rectifier в которой используются передовые методы обработки для достижения крайне низкого значения сопротивления в области кремния. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и прочной конструкцией IRF3205S, позволяет проектировщикам использовать чрезвычайно эффективный и надежный полевой транзистор, для применения в широком спектре изделий.
D2PAK корпус силового транзистора способен вместить матрицы размером до HEX-4. Он обеспечивает самую высокую допустимую мощность и минимально возможное сопротивление сток-исток в любой существующей технологии производства корпусов для поверхностного монтажа. D2PAK подходит для приложений с высокими протекающими токами из-за его низкого сопротивление канала в открытом состоянии.
Корпус | |
Корпус | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Монтаж | |
Монтаж | Поверхносный |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ... 175°C |
Ток | |
Ток | 110 А |
Упаковка | |
Упаковка | 50 шт (туба) |
Основные | |
Заряд затвора | 146 нКл |
Количество каналов | 1 |
Конфигурация | одиночний |
Мощность | 200 Вт |
Полярность | полевой |
Серия | HEXFET® |
Сопротивление откр. канала | 8,0 мОм |
Структура | N-канал |
Тип | MOSFET N-Channel |
Напряжение | 55 В |