IRF640NSTRLPBF

93.25 грн.

10 або більше: 78.81 грн.
100 або більше: 76.40 грн.
1000 або більше: 72.38 грн.
Виробник: Infineon
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.18A 200V N-CH TO263(D2PAK) HEXFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 18 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 150 мОм
Потужність 150 Вт
Структура N-канал
Технологія HEXFET
Час відновлення 251 нс
Напруга 200 В