IRF640NSTRLPBF

IRF640NSTRLPBF

151.26 грн.

10 или более 86.94 грн.
100 или более 60.40 грн.
1000 или более 39.70 грн.
Производитель: Infineon
Артикул: IRF640NSTRLPBF
Доступно: 2608

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.18A 200V N-CH TO263(D2PAK) HEXFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 18 А
Упаковка
Упаковка 800 шт. (TAPE&REEL)
Основные
Время восстановления 251 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 150 Вт
Сопротивление откр. канала 150 мОм
Структура N-канал
Технология HEXFET
Напряжение 200 В
datasheet