IXFA3N120

IXFA3N120

508.52 грн.

10 або більше: 455.37 грн.
100 або більше: 441.43 грн.
1000 або більше: 418.20 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXFA3N120
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.3A 1200V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 3 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 4.5 Ом
Потужність 200 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 300 нс
Напруга 1200 В
datasheet