IXFA3N120

IXFA3N120

508.52 грн.

10 или более 455.37 грн.
100 или более 441.43 грн.
1000 или более 418.20 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA3N120
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.3A 1200V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 3 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 200 Вт
Сопротивление откр. канала 4.5 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1200 В
datasheet