IXFA4N100P

IXFA4N100P

177.22 грн.

10 або більше: 174.27 грн.
100 або більше: 168.94 грн.
1000 або більше: 160.05 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXFA4N100P
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.4A 1000V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 4 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 3.3 Ом
Потужність 150 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 300 нс
Напруга 1000 В
datasheet