IXFA4N100P

IXFA4N100P

406.61 грн.

10 или более 215.13 грн.
100 или более 198.87 грн.
1000 или более 198.87 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA4N100P
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.4A 1000V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 4 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 150 Вт
Сопротивление откр. канала 3.3 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1000 В
datasheet