IXFA7N100P

IXFA7N100P

373.93 грн.

10 або більше: 328.85 грн.
100 або більше: 318.78 грн.
1000 або більше: 302.01 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXFA7N100P
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.7A 1000V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 7 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 1.9 Ом
Потужність 300 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 300 нс
Напруга 1000 В
datasheet