IXFA7N100P

IXFA7N100P

565.55 грн.

10 или более 448.75 грн.
100 или более 317.89 грн.
1000 или более 317.89 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXFA7N100P
Доступно: 132

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.7A 1000V N-CH TO263(D2PAK) HIPERFET SMT
Корпус
Корпус TO-263-3 (D2PAK-3)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 7 А
Упаковка
Упаковка 50 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 300 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 300 Вт
Сопротивление откр. канала 1.9 Ом
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 1000 В
datasheet