IXFT12N100F

IXFT12N100F

398.53 грн.

10 або більше: 390.56 грн.
100 або більше: 378.60 грн.
1000 або більше: 358.67 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXFT12N100F
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.12A 1000V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 12 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 1.05 Ом
Потужність 300 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 250 нс
Напруга 1000 В
datasheet