IXTH1N200P3

IXTH1N200P3

478.07 грн.

10 або більше: 453.58 грн.
100 або більше: 439.70 грн.
1000 або більше: 416.56 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXTH1N200P3
Доступно: Немає пропозицій
MOSFET DIS.1A 2000V N-CH TO-247AD HIGH VOLTAGE
Корпус
Корпус TO-247-3
Монтаж
Монтаж THT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+150°C
Струм
Струм 1 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 40 Ом
Потужність 125 Вт
Структура N-канал
Технологія HIGH VOLTAGE
Час відновлення 2.3 мкс
Напруга 2000 В
datasheet