IXTH1N200P3

IXTH1N200P3

501.43 грн.

10 или более 475.75 грн.
100 или более 461.19 грн.
1000 или более 436.92 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXTH1N200P3
Доступно: Нет предложений
MOSFET DIS.1A 2000V N-CH TO-247AD HIGH VOLTAGE
Корпус
Корпус TO-247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+150°C
Ток
Ток 1 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 2.3 мкс
Конфигурация одиночний
Мощность 125 Вт
Сопротивление откр. канала 40 Ом
Структура N-канал
Технология HIGH VOLTAGE
Напряжение 2000 В
datasheet