IXTT170N10P

IXTT170N10P

1019.36 грн.

10 або більше: 650.62 грн.
100 або більше: 650.62 грн.
1000 або більше: 650.62 грн.
Виробник: Ixys
Артикул: IXTT170N10P
Доступно: 13

Доступні варіанти

В закладки порівняння
MOSFET DIS.170A 100V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Робоча температура
Робоча температура -55°C~+175°C
Струм
Струм 170 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основні
Конфігурація одиночний
Опір відкр. каналу 9 мОм
Потужність 715 Вт
Структура N-канал
Технологія HIPERFET
Час відновлення 120 нс
Напруга 100 В
datasheet