IXTT170N10P

IXTT170N10P

1 037.02 грн.

10 или более 661.66 грн.
100 или более 661.66 грн.
1000 или более 661.66 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXTT170N10P
Доступно: 3

Доступные опции

В закладки В сравнение
MOSFET DIS.170A 100V N-CH TO268(D3PAK) HIPERFET
Корпус
Корпус TO-268 (D3PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C~+175°C
Ток
Ток 170 А
Упаковка
Упаковка 30 шт. (TUBE)
Основные
Время восстановления 120 нс
Конфигурация одиночний
Мощность 715 Вт
Сопротивление откр. канала 9 мОм
Структура N-канал
Технология HIPERFET
Напряжение 100 В
datasheet