2MBI100HJ-120-50
2MBI100HJ-120-50
5 496.96 грн.
10 или более 5 387.02 грн.
100 или более 5 222.11 грн.
1000 или более 4 947.26 грн.
100 или более 5 222.11 грн.
1000 или более 4 947.26 грн.
IGBT MOD.DIODE DUAL 100A 1200V H SERIES Y4-M6
Корпус | |
Корпус | 62x108 мм |
Монтаж | |
Монтаж | На шасси |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -40°C ~ +125°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 655 Вт |
Ток | |
Ток | 100 А (60°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 20 шт. |
Основные | |
Количество ключей | 2 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 3.6 В |
Структура | С диодом |
Технология | H SERIES |
Ток (макс.) | 150 А (25°C) |
Напряжение | 1200 В |