FGA25N120ANTD

157.31 грн.

10 или более 154.16 грн.
100 или более 149.44 грн.
1000 или более 141.58 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: FGA25N120ANTD
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 25A 1200V NPT TRENCH TO3P
Корпус
Корпус TO3P
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 312 Вт
Ток
Ток 25 А (100°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2 В
Структура С диодом
Технология NPT TRENCH
Ток (макс.) 50 А (25°C)
Напряжение 1200 В