HGTG5N120BND

71.54 грн.

10 или более 70.11 грн.
100 или более 67.96 грн.
1000 или более 64.38 грн.
Производитель: ON Semiconductor
Артикул: HGTG5N120BND
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.SINGLE 21A 1200V TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 167 Вт
Ток
Ток 10 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.45 В
Структура С диодом
Технология NPT
Ток (макс.) 21 А (25°C)
Напряжение 1200 В