IXBA14N300HV

IXBA14N300HV

5180.36 грн.

10 или более 5076.75 грн.
100 или более 4921.34 грн.
1000 или более 4662.33 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBA14N300HV
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO263
Корпус
Корпус TO263 (D2PAK)
Монтаж
Монтаж SMT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 200 Вт
Ток
Ток 14 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.2 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 38 А (25°C)
Напряжение 3000 В
datasheet