РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBA14N300HV
IXBA14N300HV
4 873.68 грн.
10 или более 4 776.21 грн.
100 или более 4 630.00 грн.
1000 или более 4 386.31 грн.
100 или более 4 630.00 грн.
1000 или более 4 386.31 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 14A 3000V BIMOSFET TO263
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 200 Вт |
| Ток | |
| Ток | 14 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 50 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 38 А (25°C) |
| Напряжение | 3000 В |