РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBA16N170AHV-TRL
IXBA16N170AHV-TRL
2 790.22 грн.
10 или более 2 734.42 грн.
100 или более 2 650.71 грн.
1000 или более 2 511.20 грн.
100 или более 2 650.71 грн.
1000 или более 2 511.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 800 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |