РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBA16N170AHV-TRL
IXBA16N170AHV-TRL
2790.22 грн.
10 или более 2734.42 грн.
100 или более 2650.71 грн.
1000 или более 2511.20 грн.
100 или более 2650.71 грн.
1000 или более 2511.20 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V BIMOSFET TO263
| Корпус | |
| Корпус | TO263 (D2PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 800 шт. (лента на катушке) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |