IXBH2N250

IXBH2N250

4016.08 грн.

10 или более 3935.75 грн.
100 или более 3815.27 грн.
1000 или более 3614.47 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH2N250
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 2A 2500V BIMOSFET TO247 THT
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 32 Вт
Ток
Ток 2 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.15 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 5 А (25°C)
Напряжение 2500 В
datasheet