IXBH42N170A

IXBH42N170A

2805.63 грн.

10 или более 2355.20 грн.
100 или более 2355.20 грн.
1000 или более 2355.20 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH42N170A
Доступно: 300

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 357 Вт
Ток
Ток 21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 42 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet