IXBH42N250

IXBH42N250

2015.18 грн.

10 или более 1974.88 грн.
100 или более 1914.42 грн.
1000 или более 1813.66 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBH42N250
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 42A 2500V BIMOSFET TO247
Корпус
Корпус TO247-3
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 500 Вт
Ток
Ток 42 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 104 А (25°C)
Напряжение 2500 В
datasheet