IXBK55N300

IXBK55N300

7145.08 грн.

10 или более 6888.22 грн.
100 или более 6888.22 грн.
1000 или более 6888.22 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBK55N300
Доступно: 11

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT DIS.DIODE SINGLE 55A 3000V BIMOSFET TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 625 Вт
Ток
Ток 55 А (110°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.2 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 130 А (25°C)
Напряжение 3000 В
datasheet