IXBN42N170A

IXBN42N170A

2212.36 грн.

10 или более 2155.00 грн.
100 или более 2089.03 грн.
1000 или более 1979.08 грн.

Производитель: Ixys
Артикул: IXBN42N170A
Доступно: Нет предложений

В закладки В сравнение

Описание Характеристики Файлы для скачивания

IGBT MOD.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET SOT227B

Корпус
Корпус	SOT227B
Монтаж
Монтаж	На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура	-55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность	313 Вт
Ток
Ток	21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка	10 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей	1
Напряжение насыщения (К-Э)	6 В
Структура	С диодом
Технология	BIMOSFET
Ток (макс.)	38 А (25°C)
Напряжение	1700 В

Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969