IXBN42N170A

IXBN42N170A

3212.20 грн.

10 или более 2691.00 грн.
100 или более 2691.00 грн.
1000 или более 2691.00 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBN42N170A
Доступно: 4

Доступные опции

В закладки В сравнение
IGBT MOD.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET SOT227B
Корпус
Корпус SOT227B
Монтаж
Монтаж На шасси
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 313 Вт
Ток
Ток 21 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 10 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 6 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 38 А (25°C)
Напряжение 1700 В
datasheet