РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBN42N170A
IXBN42N170A
2 519.13 грн.
10 или более 2 490.22 грн.
100 или более 2 413.99 грн.
1000 или более 2 286.94 грн.
100 или более 2 413.99 грн.
1000 или более 2 286.94 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 21A 1700V BIMOSFET SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 313 Вт |
| Ток | |
| Ток | 21 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 38 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |