IXBP5N160G

IXBP5N160G

200.02 грн.

10 или более 190.95 грн.
100 или более 185.10 грн.
1000 или более 175.36 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBP5N160G
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 3.5A 1600V BIMOSFET TO220AB
Корпус
Корпус TO220AB
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 68 Вт
Ток
Ток 3.5 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 50 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 4.9 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 5.7 А (25°C)
Напряжение 1600 В
datasheet