IXBP5N160G
IXBP5N160G
188.18 грн.
10 или более 179.64 грн.
100 или более 174.14 грн.
1000 или более 164.98 грн.
100 или более 174.14 грн.
1000 или более 164.98 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 3.5A 1600V BIMOSFET TO220AB
Корпус | |
Корпус | TO220AB |
Монтаж | |
Монтаж | THT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 68 Вт |
Ток | |
Ток | 3.5 А (90°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 50 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 4.9 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 5.7 А (25°C) |
Напряжение | 1600 В |