IXBT16N170A
Notice: Undefined index: language_url in /home/Liven/sites/liven.com.ua/catalog/view/theme/epro/template/product/product.tpl on line 969
IXBT16N170A
917.96 грн.
10 или более 894.14 грн.
100 или более 866.76 грн.
1000 или более 821.15 грн.
100 или более 866.76 грн.
1000 или более 821.15 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET
Корпус | |
Корпус | TO268 (D3PAK) |
Монтаж | |
Монтаж | SMT |
Рабочая температура | |
Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
Рассеиваемая мощность | |
Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
Ток | |
Ток | 10 А (90°C) |
Упаковка | |
Упаковка | 30 шт. (тубус) |
Основные | |
Количество ключей | 1 |
Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
Структура | С диодом |
Технология | BIMOSFET |
Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
Напряжение | 1700 В |