РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT16N170A
IXBT16N170A
1 045.29 грн.
10 или более 1 033.23 грн.
100 или более 1 001.59 грн.
1000 или более 948.88 грн.
100 или более 1 001.59 грн.
1000 или более 948.88 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |