РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXBT16N170A
IXBT16N170A
987.80 грн.
10 или более 976.40 грн.
100 или более 946.51 грн.
1000 или более 896.69 грн.
100 или более 946.51 грн.
1000 или более 896.69 грн.
IGBT DIS.DIODE SINGLE 10A 1700V TO-268 BIMOSFET
| Корпус | |
| Корпус | TO268 (D3PAK) |
| Монтаж | |
| Монтаж | SMT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 150 Вт |
| Ток | |
| Ток | 10 А (90°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 6 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | BIMOSFET |
| Ток (макс.) | 16 А (25°C) |
| Напряжение | 1700 В |