IXBX25N250

IXBX25N250

3496.82 грн.

10 или более 3184.85 грн.
100 или более 2631.12 грн.
1000 или более 2631.12 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXBX25N250
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 25A 2500V BIMOSFET PLUS247
Корпус
Корпус PLUS247
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 300 Вт
Ток
Ток 25 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 30 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 3.3 В
Структура С диодом
Технология BIMOSFET
Ток (макс.) 55 А (25°C)
Напряжение 2500 В
datasheet