РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGN82N120B3H1
IXGN82N120B3H1
2 917.32 грн.
10 или более 2 858.97 грн.
100 или более 2 771.45 грн.
1000 или более 2 625.59 грн.
100 или более 2 771.45 грн.
1000 или более 2 625.59 грн.
IGBT MOD.DIODE SINGLE 64A 1200V GENX3 SOT227B
| Корпус | |
| Корпус | SOT227B |
| Монтаж | |
| Монтаж | На шасси |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 595 Вт |
| Ток | |
| Ток | 64 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 10 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 3.2 В |
| Структура | С диодом |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 145 А (25°C) |
| Напряжение | 1200 В |