РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGR60N60C3C1
IXGR60N60C3C1
2 047.50 грн.
10 или более 2 006.55 грн.
100 или более 1 945.13 грн.
1000 или более 1 842.75 грн.
100 или более 1 945.13 грн.
1000 или более 1 842.75 грн.
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 ISOPLUS24
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 170 Вт |
| Ток | |
| Ток | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.5 В |
| Структура | С диодом SiC |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 75 А (25°C) |
| Напряжение | 600 В |