РУС
УКРВ корзине пусто!
Выберите валюту
IXGR60N60C3C1
IXGR60N60C3C1
2176.34 грн.
10 или более 2132.81 грн.
100 или более 2067.52 грн.
1000 или более 1958.71 грн.
100 или более 2067.52 грн.
1000 или более 1958.71 грн.
IGBT DIS.DIODE SiC SINGLE 30A 600V GENX3 ISOPLUS24
| Корпус | |
| Корпус | ISOPLUS247 |
| Монтаж | |
| Монтаж | THT |
| Рабочая температура | |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |
| Рассеиваемая мощность | |
| Рассеиваемая мощность | 170 Вт |
| Ток | |
| Ток | 30 А (110°C) |
| Упаковка | |
| Упаковка | 30 шт. (тубус) |
| Основные | |
| Количество ключей | 1 |
| Напряжение насыщения (К-Э) | 2.5 В |
| Структура | С диодом SiC |
| Технология | GENX3 |
| Ток (макс.) | 75 А (25°C) |
| Напряжение | 600 В |