IXSK50N60AU1

IXSK50N60AU1

1237.50 грн.

10 или более 1212.75 грн.
100 или более 1175.63 грн.
1000 или более 1113.75 грн.
Производитель: Ixys
Артикул: IXSK50N60AU1
Доступно: Нет предложений
IGBT DIS.DIODE SINGLE 50A 600V SOA TO264
Корпус
Корпус TO264
Монтаж
Монтаж THT
Рабочая температура
Рабочая температура -55°C ~ +150°C
Рассеиваемая мощность
Рассеиваемая мощность 300 Вт
Ток
Ток 50 А (90°C)
Упаковка
Упаковка 25 шт. (тубус)
Основные
Количество ключей 1
Напряжение насыщения (К-Э) 2.7 В
Структура С диодом
Технология SOA CAPABILITY
Ток (макс.) 75 А (25°C)
Напряжение 600 В
datasheet